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NPE-4000 (ICPM) 等离子增强化学气相沉积系统
立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台 该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的
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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(M) PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC
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NPE-4000 (A) 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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等离子体增强化学气相沉积系统CVD
多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(CVD)是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术,主要借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的
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牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD) PlasmaPro 100
刻蚀控制选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性,并可以放置在远端,远离主要工艺设备工艺一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子:低温硅刻蚀,深硅
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牛津PlasmaPro 100等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)
样本温度不变高功率ICP源可产生高密度的等离子体磁隔离装置可用于增强离子控制和均匀度高导电的泵送系统高可靠性的硬件、容易操作、出色的持续运行时间
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NLD-4000(ICPM)PEALD原子层沉积系统
%温度:200°C折射率:1.67 原子层沉积技术 NLD-4000(ICPM)PEALD系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽
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